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MOS管 TBL120N10TD TO-252


产品分类: 场效应管(MOSFET) 

认证:车规级AEC-Q101

型号:TBL120N10TD

封装:TO-252

漏源电压:100V

连续漏极电流:53A

通道:N沟道

规格书下载:TBL120N10TD

服务热线 133-1086-4191

产品特点

PRODUCT CHARACTERISTICS

特点与优势:

• 低FOM(Rdson*Qg)               • 高雪崩耐量,100%经过EAS测试                           • 低反向恢复峰值电流(Irm)     

• 抗静电能力(ESD)                  • 符合RoHS标准                                                       • 低反向恢复电荷(Qrr)       
应用:

• 各类锂电池保护模块              • 手机、平板电脑等便携式数码产品电源管理           • LED TV等消费类电子产品电源

• 电动交通工具控制器              • 不间断电源,逆变器和各类电力电源LED照明

产品参数

Product parameters

型号:  TBL120N10TD             

封装:  TO-252

漏源电压: 100V        

连续漏极电流: 53A

通道极性:  N沟道        

车规级AEC认证:  YES

无铅(Pb Free):  YES         

无卤:  YES

Reach:  YES           

RoHS:  YES                   

TJ(°C) max.:  150        

TJ(°C) min.:  -55

ECCN(US):  EAR99        

TBL120N10TD TO-252 银河微电子

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