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碳化硅SIC器件
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  • 碳化硅 SiC MOSFET 650V TO220-3L
碳化硅 SiC MOSFET 650V TO220-3L

产品特点：
1.低导通电阻
2.高速（高频）切换
3.高耐压
4.高开关性能
5.车规AEC-Q101认证

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Product VDS IDS(@25℃) RDS(on) Pkg. Type
H1M065B050 650V 52A 50mΩ TO220-3L
H1M065B100 650V 28.5A 100mΩ TO220-3L
H1M065B200 650V 16A 200mΩ TO220-3L
H1J065B050
 650V
 42A
 50mΩ
 TO220-3L

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