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碳化硅SIC器件
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  • 碳化硅SiC MOSFET TO263
碳化硅SiC MOSFET TO263

产品特点：
1.低导通电阻
2.高速（高频）切换
3.高耐压
4.高开关性能

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Product VDS IDS(@25℃) RDS(on) Pkg. Type
H1M065W050* 650V 60A 50mΩ TO263-7L
H1M120W060* 1200V 44.5A 60mΩ TO263-7L
H1M120W120* 1200V 24.5A 120mΩ TO263-7L
H1M170W1K0* 1700V 4.7A 1Ω TO263-7L
H1M120T240* 1200V 13.5A 240mΩ TO263-2L

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