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三极管半导体元器件的基本参数知识

发布时间:2021.08.26
信息摘要:
   三极管,即半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管。三极管的材料有锗材料和硅材料,它们之间最大的差异就是起始电压不一样。半导体三极管用于交流放大时,电流放大系数与频率有关,各种电子元器件都有一个使用极限值要求,对于半导体三极管来讲,选用三极管需要了解三极管的主要参数有以下几个...
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     三极管,即半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种,由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同,所以它们是不能相互代换的。

三极管的材料有锗材料和硅材料,它们之间最大的差异就是起始电压不一样,半导体三极管用于交流放大时,电流放大系数与频率有关。半导体三极管极间的反向电流指的是集电极一基极间反向电流ICBO 和集电极一发射极间反向电流ICEO。ICEO使用得较多,它是指三极管基极开路时,集电极C和发射极E之间的反向电流,又称为穿透电流或反向击穿电流。
三极管半导体元器件-图
各种电子元器件都有一个使用极限值要求,对于半导体三极管来讲,选用三极管需要了解三极管的主要参数有以下几个:
(1)集电极最大允许电流ICM
半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM 。当集电极电流IC增大到一定程度时,β值便会明显下降,这时三极管不至于烧坏,但已不宜使用。因此,规定β值下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。
(2) 集电极最大允许耗散功率PCM
集电极耗散功率实际上是集电极电流IC和集电极电压UCE的乘积。在使用三极管时,实际功耗不允许超过PCM还应留有较大的余量。耗散功率会引起三极管发热,使结温升高。如果集电极的耗散功率过大,将会使集电结的温度超过允许值而被烧坏。为了提高PCM的数值,大功率三极管都要求加装散热片,此时手册中给出的大功率三极管的PCM是指带有散热片时的数值。
(3)集电极一发射极反向击穿电压BVCEO ( VCEO )
BVCEO是指三极管基极开路时,加在集电极C 和发射极E 之间的最大允许电压。使用时,若|VCE| > BVCEO。则会导致三极管击穿而损坏。
(4) 集电极一基极反向击穿电压BVCBO ( VCBO )
BVCBO是指三极管发射极开路时,集电结的反向最大电压。使用时,集电极与基极间的反向电压不允许超过此值的规定。
(5) 发射极基极反向击穿电压BVCEO( VCEO)
BVEBO是指三极管集电极开路时,发射结的反向最大电压。使用时,发射结承受的反向电压不应超过此值的规定。


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