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三极管和MOSFET器件选型原则

发布时间:2022-08-30 14:24
信息摘要:
近些年,伴随着MOSFET的发展趋势,在低输出功率快速开关行业,MOSFET正逐渐取代三极管,领域主要生产厂家对三极管的研发投入也逐渐降低,在芯片设计层面基本上沒有资金投入,器件的新技术进步具体表现在圆晶加工工艺的升級(6inch wafer转8inch wafer)及封装小型化及表贴化上。

 近些年,伴随着MOSFET的发展趋势,在低输出功率快速开关行业,MOSFET正逐渐取代三极管,领域主要生产厂家对三极管的研发投入也逐渐降低,在芯片设计层面基本上沒有资金投入,器件的新技术进步具体表现在圆晶加工工艺的升級(6inch wafer转8inch wafer)及封装小型化及表贴化上。此外,相对一般三极管,RF三极管的具体发展趋势是低电压工作电压供电系统,低噪音,高频率及高效率。


1、三极管及MOSFET归类型号选择基本原则如下所示:

1)禁选处在生命期后期的软件封装器件,如TO92

2)甄选领域流行小型化表贴器件,如SOT23,SOT323,SOT523等,针对多管运用,优先选择考虑到多管封装如SOT363及SOT563

3)针对开关应用领域,优先选择考虑到采用MOSFET

4)频射三极管甄选低压供电系统,低噪音,高频率及高效率器件。

三极管和MOSFET器件选型原则


2、三极管和MOSFET器件型号选择重要因素

2.1. 三极管型号选择重要因素

三极管在线路中有变大和开关二种功效,现阶段在我司的线路中三极管关键起开关功效。在挑选三极管的情况下,从下列一些层面做好考虑到:主要参数、封装、特性(低电压降、低特性阻抗、高变大倍率、高开关高效率)等层面。在达到调额标准规定的条件下,考虑到輸出电流量和相对应的损耗输出功率,击穿电压尺寸,变大倍率等主要参数。与此同时,应尽可能采用传热系数小,容许结温高的器件。

2) 封装:三极管的封装的发展趋向是小型化、表贴化、平脚化、无脚位化。

封装品质好坏的是用集成ic总面积与封装总面积的比率来判定的,比率越贴近1越高。因为三极管的效率要求更加小,因此,小封装三极管是其引入的一个方位,在主要参数达到规格型号的条件下尽可能选用小封装。现阶段三极管最小封装是sot883(DFN1006-3),甄选封装有sot883、sot663、sot23、sot89、sot223、sot666。


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