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碳化硅SIC器件
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  • SiC肖特基二极管 GSC2065U TO-247 650V 20A
碳化硅 SiC MOSFET 650V TO220-3L

产品特点：
1. 具有比硅更优异的开关特性和更高的可靠性。
2. 低传导损耗，独立于温度的零反向恢复 。

3. Tj高达175°C，高浪涌电流能力 。应用范围：5G基建，新能源汽车充电桩及轨道交通等



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Product VDS IDS(@25℃) RDS(on) Pkg. Type
H1M065B050 650V 52A 50mΩ TO220-3L
H1M065B100 650V 28.5A 100mΩ TO220-3L
H1M065B200 650V 16A 200mΩ TO220-3L

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